Ученые изобрели флеш-карту будущего

Флеш-память создана с использованием мультиграфена, сообщает «Наука в Сибири».

Ученые изобрели флеш-карту будущего из мультиграфена

Принцип действия флешки основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Также необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.

Время хранения заряда, быстродействие флеш-памяти зависит от величины работы выхода запоминающей среды - энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. У мультиграфена этот показатель высокий.

Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Поэтому можно использовать более тонкий туннельный слой. Таким образом быстродействие повышается в 2-3 раза.

Однако о масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена еще рано говорить.

Ранее ученые из Тайваня разработали вечную флеш-память. Новая технология позволяет увеличить максимальное число циклов перезаписи во флэш-памяти с 10 тыс. до 100 млн. Инженеры считают, что использование некоего постоянного термального режима может повысить производительность накопителей.